中国自主DUV光刻机启动量产

更新日期：2026-07-28 ｜主线：浸没式DUV（193nm ArF）国产化突破与产业链映射

📌 置顶 · 核心事件

2026-07-27《The Information》独家：上海国资背景公司开始制造浸没式DUV光刻机

• 报道未公开公司名称（知情人士要求匿名）。原文称该上海国资公司「整合了来自其他中国企业的浸没式DUV研发团队，其中包括上海宇量昇科技」。
• 计划 2026年约5台、2027年约20台，交付中芯国际(SMIC)、华虹半导体、长鑫存储(CXMT)。
• 量产仍处早期：良率/可靠性验证周期长，部分关键件仍依赖日本供应商，今年进度因供应商延误放缓。
• 行业报道普遍将制造商指认为上海宇量昇科技；但按原文措辞，宇量昇是「被整合的团队之一」，真正整合主体或为华为协调、上海国资主导的更高层平台。

一、核心主体：上海宇量昇科技有限公司

主体上海宇量昇科技（UEA）｜2022-07-29成立｜上海浦东｜注册资本10亿（国有控股）
股权上海创科微（上海国资）与深圳新凯来（华为系/深圳国资）各持股 50%
技术专注 193nm 浸没式DUV整机 + EUV LPP光源；对标 ASML NXT:2000i，28nm单曝、多重曝光可至7/5nm
进展中芯国际自2025-09起测试其浸没式DUV；2025年已向部分厂商交付原型机
背景团队源自华为2012实验室「星光工程部」；获大基金三期等注资，与中科院上海光机所、清华深度合作

二、国产光刻机产业链地图（含A股映射）

环节	核心主体（上市否）	代表A股标的	备注
整机集成	上海宇量昇（未上市）上海微电子SMEE（未上市）	张江高科 600895 （参股SMEE约10.78%）	SMEE主攻90nm/推进28nm；宇量昇主攻浸没式DUV
光源系统	北京科益虹源（未上市）宇量昇自研EUV光源	波长光电 301421 福晶科技 002222 炬光科技 688167	福晶=LBO/BBO非线性晶体；波长光电与宇量昇合作光源验证
光学镜头/元件	北京国望光学（未上市）宇量昇光学系统	茂莱光学 688502 永新光学 603297 腾景科技 688195 蓝特光学 688127	物镜为最难关卡之一，部分仍依赖蔡司
双工件台	华卓精科（未上市）	暂无直接上市映射	清华系，曾冲刺科创板未果
浸液系统	启尔机电（未上市）	暂无直接上市映射	浙大系，浸没式DUV关键子系统
光刻胶/材料	南大光电、北京科华等	南大光电 300346 容大感光 300576 晶瑞电材 300655 上海新阳 300236 彤程新材 603650	南大光电ArF光刻胶已通过验证；受益DUV放量
零部件/洁净/气体	新凯来供应链体系	新莱应材 300260 富创精密 688409 华特气体 688268 正帆科技 688596 江丰电子 300666	受益新凯来/宇量昇扩产与国产替代

三、关键事件时间线

时间	事件	来源
2022-07	上海创科微与深圳新凯来合资成立宇量昇，定位DUV/EUV光刻设备研发	工商
2024-03	大基金三期专项注资宇量昇（约15亿元），推进核心部件研发	公开
2025-09	《金融时报》报道中芯国际测试宇量昇28nm浸没式DUV，概念股涨停	FT
2025全年	宇量昇完成DUV整机关键模块集成，进入整机联调；向部分厂商交付原型机	报道
2026-07-27	《The Information》报道上海国资公司开始量产浸没式DUV，ASML股价下跌	The Info
2026（计划）	交付约5台DUV至SMIC/华虹/CXMT；EUV项目仍处原型阶段	报道
2027（计划）	产量提升至约20台；国产设备或在晶圆厂 broader 部署	报道

四、进度与对标（媒体报道/待验证）

指标	宇量昇（报道）	ASML NXT:2000i
制程	28nm单曝 / 多重曝光至7-5nm	7nm及以下
套刻精度	约±1.2nm（二手报道）	约3.5nm
吞吐量	约50片/小时（入门级）	>150片/小时
良率	中芯测试约70-80%	>95%
国产化率	核心件国产约70%，部分光学/精密件仍进口	全球供应链

注：套刻精度/吞吐量/良率为二级市场解读，未获官方确认，标注「待验证」。

五、A股映射要点（信息梳理·非推荐）

• 最直接映射：张江高科（参股上海微电子）、波长光电（光源合作）、茂莱光学/永新光学（光学）。
• 材料端：南大光电（ArF光刻胶，已通过验证）、容大感光、晶瑞电材、彤程新材——受益DUV放量带来的光刻胶需求。
• 华为系/新凯来链：新莱应材、富创精密、正帆科技、江丰电子——受益设备扩产与零部件国产替代。
• 情绪催化：每次国产光刻机进展报道（如本次The Information），光刻机/光刻胶概念易集体异动，注意追高风险。

六、风险提示

• 量产仍处极早期，5台/20台的规划相对ASML（年交付130+台浸没式）微乎其微，短期难撼ASML地位。
• 良率、可靠性、与产线兼容性需数月~数年验证，进度或因供应商延误放缓。
• 美国《MATCH Act》若通过，将扩大对浸没式DUV设备出口及维修服务的限制，倒逼国产替代但也压缩窗口。
• EUV仍处原型阶段，数年内难商用；最先进制程（AI处理器所需）仍受限。

本文件为产业链信息跟踪参考，随新增信息持续更新；标注「报道/待验证」的数据以最终官方/公司披露为准。

原创文章，作者：新投研，如若转载，请注明出处：https://www.xintouyan.com/archives/345

The Information：中国自主DUV光刻机启动量产